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中银国际-半导体设备行业半导体设备之中微:先进制程、新技术产品全面突破,半导体设备平台型企业轮廓初现-200417

上传日期:2020-04-17 12:41:57 / 研报作者:杨绍辉陈祥 / 分享者:1005690
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  中微半导体发布2019年年报,公司2019年营业收入同比增长18.77%达到19.47亿元,归母净利润同比增长107.51%达到1.89亿元,扣非净利润同比增长41.48%达到1.48亿元。
  支撑评级的要点
  预计营业收入的产品结构大幅优化,公司度过业务结构调整之年,刻蚀设备将主导公司未来业绩高成长。尽管受LED行业调整影响,刻蚀设备支撑公司整体收入保持19%的较快增长。中微2017/2018年设备收入中,集成电路工艺设备(刻蚀)占比35%、40%,MOCVD设备占比分别为65%、60%,我们估计2019年公司设备收入中集成电路工艺设备(刻蚀)占比接近1/2,即刻蚀设备收入估计为7-8亿元,同比增长35%左右,而MOCVD设备占比降至1/2左右,MOCVD设备估计为8.3亿元,同比基本持平。考虑到2018年底公司MOCVD设备在手订单13.6亿元,且参考公司LED客户2019年资本开支大幅下降的市场环境下,我们预计2019年底MOCVD设备在手订单已经大幅减少,而刻蚀设备正处于市占率提升叠加客户大幅扩产的高成长时期,因此,刻蚀设备将是公司未来内生高成长的主要支柱。
  ICP刻蚀设备已在先进客户验证成功并实现量产,将打开另一半刻蚀设备市场空间。根据公司招股书,ICP刻蚀市场规模正在超越CCP刻蚀设备市场规模,因为逻辑电路先进制程及3DNand层数增加对ICP刻蚀工艺需求大增。一旦公司ICP刻蚀设备研发产业化,中微将在现有可覆盖3DNAND中2/3的介质刻蚀工艺基础上,将进一步提升介质刻蚀工艺的覆盖广度以及硅基刻蚀的竞争能力。公司ICP等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,正根据客户的技术发展需求进行下一代产品的技术研发,以满足7nm以下的逻辑芯片、1Xnm的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求,并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。
  CCP刻蚀设备在5nm产线跨过多个关键工艺,且已拿到重复订单。根据集微网、DRAMeXchange等,2017年底公司作为5家刻蚀设备供应商之一,中微被TSMC纳入7nm制程设备采购名单,2018年底中微自主研发的可用于5nm产线的等离子刻蚀机也经TSMC验证通过。2019年公司刻蚀设备已运用在国际知名客户7纳米、5纳米器件中若干关键步骤的加,并已获得行业领先客户的批量订单。
  平台型轮廓初现,即立足ICP、CCP刻蚀这一优势领域,重点考虑向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。刻蚀设备方面,公司CCP刻蚀设备主要用于介质刻蚀,根据中国国际招标网,中微已在国内主流产线上的介质刻蚀市占率超过20%,个别产线上达到40%;中微刻蚀设备也已用于5nm产线的若干关键步骤,并获得行业领先客户的批量订单,与国际刻蚀设备巨头同台竞技。薄膜沉积设备方面,公司参股的沈阳拓荆,尽管2019年仍亏损1,000多万元,拓荆也在长江存储、华虹无锡项目等主流12寸产线上获得重复PECVD订单;同时,公司2019年开始参股的德国Solayer,主要产品是镀膜和膜层改性设备。量测设备方面,中微2019年8月曾拟对睿励科学仪器(上海)进行投资,去年也参股了上海洪朴信息科技,一家基于AI、大数据、统计建模等技术为半导体制造业提供产品缺陷检测、缺陷溯源解决方案的优质企业。
  投资建议:
  随着在CCP刻蚀设备市场地位的提升,以及ICP刻蚀设备的成功验证,中微公司将显著受益于国内晶圆厂的密集建产。公司会重点考虑并购等离子体刻蚀、薄膜沉积设备和测量设备等领域的集成电路前道设备公司,以及其他泛半导体领域设备公公司,打造成为国内外知名的半导体设备平台型企业,继续关注中微公司(688012)。
  风险提示:
  国内半导体客户扩产低于预期;关键部件进口受贸易战影响。
  

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