中泰证券-化工行业：CMP，半导体平坦化核心技术，国内龙头放量在即-200512

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　　化学机械抛光CMP：晶圆表面平坦化的关键技术。CMP工艺通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶元表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术。CMP主要用于浅槽隔离(STI)抛光、铜的研磨与抛光、高k金属栅的抛光、FinFET晶体管的虚拟栅CMP等半导体制造过程中的核心工艺。
　　半导体市场放量及工艺制程复杂化，带动全球CMP市场不断增长。全球半导体市场近年来持续增长，2012-2018年复合增速8.23%。伴随着半导体工艺制程不断复杂化，14纳米以下逻辑芯片工艺要求的关键CMP工艺将达到20步以上，使用的抛光液将从90纳米的五六种抛光液增加到二十种以上；7纳米及以下逻辑芯片工艺中CMP抛光步骤甚至可能达到30步，使用的抛光液种类接近三十种。而存储芯片由2DNAND向3DNAND技术变革，也会使CMP抛光步骤数近乎翻倍。2018年全球CMP抛光材料市场规模达到21.7亿美元，国内的市场规模29亿元。
　　CMP抛光液：安集科技有望放量。抛光液一般分为二氧化硅抛光液、钨抛光液、铝抛光液和铜抛光液。2016 - 2018年，全球化学机械抛光液市场规模分别为11.0亿美元、12.0亿美元和12.7亿美元。全球化学机械抛光液市场主要被美国和日本企业所垄断，包括美国的Cabot、Versum、陶氏和日本的Hitachi、Fujimi，合计占比78%。安集科技成功打破国外厂商垄断，实现进口替代，目前占比2%，未来有望伴随中国半导体制造企业快速放量。
　　CMP抛光垫：陶氏一家独大，鼎龙有望突破。抛光垫的表面沟槽形状及尺寸影响化学反应速率和机械去除作用，从而影响到化学机械抛光的抛光质量和抛光效率，目前全球抛光垫专利的研发以美国和日本为主。2016- 2018年，全球化学机械抛光垫市场规模分别为6.5亿美元、7.0亿美元和7.4亿美元。陶氏占据全球79%的市场份额，鼎龙股份有望突破
　　投资建议。随着下游半导体行业持续往中国转移，相关CMP抛光材料企业行业有望打破国外垄断，迎来快速放量，建议关注安集科技、鼎龙股份。
　　风险提示事件：CMP材料研发不及预期，CMP材料下游客户认证不及预期。