东吴证券-中微公司-688012-2020年报点评：非经常性损益驱动业绩超市场预期，100亿定增夯实研发实力-210331

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事件：2021年3月30日公司发布公告，2020年实现营业总收入22.73亿元，比上年+16.76%；实现归母净利润4.92亿元，同比+161.02%；扣非归母净利0.23亿元，同比-84.19%。

投资要点非经常性损益驱动2020年业绩超市场预期，半导体刻蚀设备业务高速增长公司2020年营收稳定增长，归母净利润同比+161%，主要系：（1）中芯国际科创板股票投资公允价值变动收益约2.62亿元；（2）公司2020年计入非经常性损益的政府补助为2.53亿，较2019年增加2.26亿元。

2020年扣非归母净利润0.23亿元，同比-84%，主要系公司2020年实施股权激励计划产生股份支付费用约1.24亿元，而2019年无该类费用发生。

若排除股份支付费用影响，公司2020年扣非归母净利润为1.47亿元，与2019年基本持平。

分业务看，（1）专用设备：2020年专用设备业务收入合计17.99亿元，同比+13%，营收占比79%，毛利率为37.32%。

其中半导体刻蚀设备收入为12.89亿元，同比+58%，主要系半导体设备行业景气度持续提升及公司产品竞争力持续加强所致；MOCVD设备收入为4.96亿元，同比-34%，主要系2020年LED设备市场仍呈现下滑态势所致。

（2）备品备件：2020年备品备件收入合计4.42亿元，同比+31%，毛利率37.64%。

（3）服务收入：2020服务收入合计0.33亿元，同比+57%，毛利率57.09%。

毛利率稳定增长，非经常性损益带动净利率大幅提升2020年，公司综合毛利率37.67%，同比+2.7pct；净利率21.66%，同比+12pct。

公司净利率大幅提升，主要系非经常性损益大幅增长所致，2020年非经常损益4.69亿元，同比2019年的0.41亿元增长1044%。

若扣除非经常性损益影响，2020年扣非净利率为1.02%，同比-6.6pct。

技术驱动型企业持续加强研发投入，期间费用率小幅上升公司2020年期间费用率为31.4%，同比+3.7pct。

其中，销售费用率10.4%，同比+0.3pct；财务费用率-0.3%，同比-0.1pct；管理费用率（含研发）为21.3%，同比+3.7pct，主要系公司继续加强研发投入所致，2020年研发费用3.31亿元，营收占比14.5%，同比+2.5pct。

叠加已被政府补助抵减的研发费用2.32亿元，以及资本化研发投入0.77亿元，公司2020年研发投入合计6.4亿元，同比+51%，研发投入营收占比28%，同比+6.3pct。

其中包含股份支付费用0.49亿元，若剔除股份支付费用的影响，2020年研发投入5.9亿元，同比+39%，主要用于研发存储器的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。

公司高度重视技术创新，截至2020年末，公司共有研发人员346名，占员工总数的38.7%，研发人员平均薪酬55万元/年，公司“博士+硕士”学历员工占比49%。

2020年公司新增专利申请295项，获得专利80项，截至2020年末，公司累计获得专利1096项。

预收款明显提升，预计充足的在手订单支撑短期业绩增长截至2020年末，公司的合同负债（预收账款）为5.92亿元，同比+14%；存货为10.64亿元，同比-2%。

公司预收款有明显提升，存货保持稳定，我们判断公司正在执行中的订单稳中有升，支撑短期业绩增长。

拟定增募资100亿元，用于产能和研发能力提升2021年3月，公司披露定增募集说明书，向特定对象发行股票，募资总额不超过100亿元，其中31.7亿元用于中微产业化基地建设项目、37.5亿元用于中微临港总部和研发中心项目、30.8亿元用于科技储备资金。

从具体项目来看，（1）中微产业化基地建设项目，公司计划在上海临港新片区以及南昌市高新区新建生产基地，扩充集成电路设备及泛半导体设备产品线产能；（2）中微临港总部和研发中心项目，将满足公司集成电路设备、泛半导体设备、关键零部件等的研发需求，并计划投入25.72亿元用于新产品研发。

中微临港总部和研发中心项目主要研发方向：（1）CCP刻蚀设备：①UD-RIE刻蚀设备（主要用于128层及以上的3DNAND极高深宽比CCP刻蚀）；②SD-RIE刻蚀设备（主要用于14nm及以下逻辑器件的大马士革刻蚀）；（2）ICP刻蚀设备：①下一代单台反应器ICP刻蚀设备Nanova+（主要用于7nm及以下的逻辑芯片，17nm及以下的DRAM芯片和128层及以上的3DNAND存储芯片的刻蚀）；②下一代双台反应器ICP刻蚀设备Twin-Star+（主要用于14nm及以上的逻辑芯片或者相当技术节点的DRAM芯片的刻蚀，部分14nm以下的FinFET等结构的逻辑芯片和64层及以下的3DNAND存储芯片的非关键工艺的刻蚀）；③ALE原子层刻蚀设备（主要用于3nm及以下的GAA结构、纳米片结构等高精度逻辑芯片的刻蚀）；（3）MOCVD设备：主要是SiC材料的外延设备的技术研发，是在IPO募投项目上的延伸。

①外延材料上，IPO募投项目为GaN材料，而此次定增为SiC材料；②衬底材质上，IPO募投项目为蓝宝石衬底，此次定增为SiC衬底。

半导体设备行业属于技术、资金密集型行业。

根据海外公司公告的2020财年报告，应用材料2020年度研发投入超22亿美元，泛林半导体年度研发投入超12亿美元。

中微2020年研发投入仅6.4亿人民币，仍存在一定差距。

长期来看，募投项目的落实将能有效扩充公司主要产品产能、夯实研发实力，提升经营业绩及盈利能力。

先进制程下刻蚀设备愈发重要，公司有望充分受益于国产化率提升晶圆制造设备市场规模约占集成电路设备整体市场规模的80%，而刻蚀设备为价值量占比最高的晶圆制造设备。

目前刻蚀设备（包含清洗设备）、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量的29%、22%和21%。

随着半导体制程工艺进步、线宽不断缩小、芯片结构3D化，当前浸没式光刻机受光波长的限制，14nm及以下逻辑芯片需通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合――多重模板工艺来实现光刻，先进制程下刻蚀设备市场规模有望实现跳增。

目前半导体设备国产化率仍较低，其中刻蚀设备市场仍由泛林半导体、东京电子、应用材料等少数海外巨头占据主要份额。

据中微公司2021年2月1日公告的回复函，以近期公开招标的三家fab厂采购的半导体设备订单情况为例，刻蚀设备及CMP设备的国产化率约为19.6%和15.6%，CVD设备及量测设备国产化率约1.5%和2.0%。

公司作为已进入国际5nm集成电路产线的国内龙头刻蚀设备商，国产替代背景下有望充分受益于国产化率提升。

盈利预测与投资评级我们预计公司2021-2023年净利润分别为5.90（原值4.46，上调32%）/6.85（原值5.41，上调27%）/8.77亿，对应PE分别为98/84/66倍；公司是晶圆制造环节唯一进入全球龙头晶圆厂供应链的国产设备商，技术水平达到5nm先进制程，享有龙头的估值溢价，维持“增持”评级。

风险提示晶圆厂投产不及预期，新品研发不及预期。